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三星電子擬增大DRAM尺寸以提升HBM4性能

2026-02-27 15:16    來源: 云財(cái)經(jīng)    影響力評(píng)估指數(shù):19.14  
云財(cái)經(jīng)訊,三星電子正集中精力提高1c DRAM的良率,同時(shí)搶占HBM4市場(chǎng)份額。具體而言,三星電子決定增大其第六代10nm級(jí)DRAM芯片的尺寸,從而同時(shí)提升DRAM和HBM4的穩(wěn)定性。 (ZDNet)
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