云財(cái)經(jīng)訊，五礦證券發(fā)布研報(bào)稱，碳化硅(SiC)成為驅(qū)動(dòng)技術(shù)升級(jí)與效率革命的關(guān)鍵支撐。作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體核心材料，憑借禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率優(yōu)、電子飽和漂移速度快等突出性能，正全面滲透新能源、AI、通信、AR四大高增長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)，其應(yīng)用場(chǎng)景從功率器件延伸至散熱材料、光學(xué)基底等領(lǐng)域，需求呈爆發(fā)式增長(zhǎng)，行業(yè)即將進(jìn)入高速發(fā)展期。