2026之初,國產(chǎn)半導體行業(yè)熱度居高不下,A股資本市場資金端熱度再起,資本向硬科技領(lǐng)域傾斜的趨勢愈發(fā)明確。2025全年,國內(nèi)資本市場IPO受理數(shù)據(jù)表現(xiàn)亮眼,全年共有300家企業(yè)進入受理序列,較2024 年的77家同比大幅增長290%。從領(lǐng)域分布來看,半導體行業(yè)以25家受理企業(yè)躋身前三;科創(chuàng)板48家受理企業(yè)進一步聚焦“硬科技”“卡脖子”賽道。

在此輪硬科技企業(yè)上市熱潮的推動下,作為半導體核心賽道的存儲領(lǐng)域,頭部企業(yè)正加快登陸資本市場的步伐。據(jù)證監(jiān)會IPO輔導公示系統(tǒng)信息,1月7日紫光國芯已向陜西證監(jiān)局提交輔導備案材料,正式啟動 A 股上市籌備工作。而國內(nèi)DRAM龍頭企業(yè)長鑫科技也于2025年12月30日正式遞交招股書,有望成為A股市場中的首家DRAM IDM上市企業(yè)。

AI浪潮引爆存儲需求:供需共振下的行業(yè)新周期

當前存儲芯片行業(yè)正步入一個強勁的上升周期,其背后是AI算力需求爆發(fā)與供給端結(jié)構(gòu)性短缺的雙重驅(qū)動。從需求側(cè)看,AI服務器對存儲芯片的性能與容量提出極高要求,單臺AI服務器內(nèi)存需求可達傳統(tǒng)服務器的8–10倍,推動高帶寬、大容量DRAM產(chǎn)品成為剛性需求。北美四大云廠商(Google、Meta、微軟、亞馬遜AWS)持續(xù)加碼AI基礎設施投資,預計2026年相關(guān)投資規(guī)模將邁向6000億美元歷史高位,直接帶動服務器DRAM消耗量同比激增40%–50%,其中AI服務器存儲需求增速將遠超行業(yè)平均。

供給側(cè)則因產(chǎn)能調(diào)整與前期去庫存而呈現(xiàn)緊張態(tài)勢。為搶占AI高端市場,三星、SK海力士、美光等國際巨頭將產(chǎn)能向高端產(chǎn)品傾斜,導致消費電子等領(lǐng)域的通用型DRAM供給收縮。同時,經(jīng)歷過去兩年深度去庫存后,主要廠商擴產(chǎn)態(tài)度仍趨謹慎,進一步加劇供需失衡。據(jù)機構(gòu)預測,2026年第一季度存儲合約價仍將延續(xù)漲勢,全年位元供應增幅約15%–20%,而需求增速預計達20%–25%,供不應求格局有望延續(xù)。

中國是全球存儲芯片的核心消費市場,長期以來該領(lǐng)域存在高度進口依賴,尤其是DRAM市場,此前一直被三星、SK海力士、美光三大國際巨頭牢牢掌控。隨著國內(nèi)企業(yè)實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破與產(chǎn)能的逐步落地,國產(chǎn)替代進程已邁入“兌現(xiàn)期”,為行業(yè)增長提供了強勁的增量動力。而長鑫科技等頭部企業(yè)IPO進程的持續(xù)推進,有望進一步驅(qū)動整個產(chǎn)業(yè)鏈進入加速發(fā)展的新階段。

技術(shù)路線抉擇:IDM與Fabless誰更能代表存儲自主未來?

在近期沖刺資本市場的存儲企業(yè)中,長鑫科技與紫光國芯代表了兩種不同的產(chǎn)業(yè)模式,也引發(fā)了市場關(guān)于何為更“純粹”國產(chǎn)存儲標的的討論。

紫光國芯采用Fabless(無晶圓廠)模式,專注于芯片設計環(huán)節(jié),生產(chǎn)則依賴外部代工廠。該模式輕資產(chǎn)、靈活性高,但在產(chǎn)能緊張、供應鏈波動時期,易受制于代工產(chǎn)能分配與成本波動。

長鑫科技則選擇了IDM(整合器件制造)模式,覆蓋設計、制造、封測全鏈條。這種模式資金投入大、技術(shù)門檻高,但能實現(xiàn)關(guān)鍵環(huán)節(jié)的自主可控,尤其在DRAM這類工藝技術(shù)高度密集、設計與制造需緊密協(xié)同的領(lǐng)域,IDM模式更能保障產(chǎn)品迭代速度、產(chǎn)能穩(wěn)定性和成本控制力。從產(chǎn)業(yè)鏈帶動角度看,長鑫科技作為“鏈主”企業(yè),對國產(chǎn)設備、材料等上游環(huán)節(jié)具有更強的拉動效應,其自主產(chǎn)能也是保障國內(nèi)高端存儲供給安全的重要基石。

財通證券表示,在美國、日本持續(xù)收緊半導體設備出口管制的背景下,長鑫將深度帶動國產(chǎn)設備與材料供應鏈。產(chǎn)業(yè)鏈上的中微公司、北方華創(chuàng)、拓荊科技、中科飛測等公司,有望獲得更多訂單,共同推進存儲產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化突破。

長鑫科技:全球DRAM領(lǐng)域的中國競爭者

長鑫科技的招股書,向市場展示了一家中國DRAM企業(yè)如何用不到十年時間,完成國際巨頭數(shù)十年走過的技術(shù)積累之路。公司目前已是中國規(guī)模最大、技術(shù)最先進、布局最完整的DRAM IDM企業(yè),2025年第二季度全球市場份額達3.97%,穩(wěn)居中國第一、全球第四,成為國際DRAM市場中唯一的中國面孔。

產(chǎn)品方面,長鑫采取“跳代研發(fā)”策略,快速縮短與國際領(lǐng)先水平的差距:從2019年推出首款國產(chǎn)8Gb DDR4,實現(xiàn)“從零到一”的突破;到2025年底相繼發(fā)布LPDDR5X和DDR5產(chǎn)品,其中LPDDR5X速率突破10667Mbps,較前代提升66%,DDR5速率達8000Mbps、單顆最大容量24Gb。兩款產(chǎn)品性能均已躋身國際領(lǐng)先梯隊。這些產(chǎn)品可全面覆蓋高端智能手機、平板、PC、服務器及數(shù)據(jù)中心等應用場景。

財務表現(xiàn)上,長鑫科技已逐漸進入盈利釋放階段。2022–2024年,公司營收從82.87億元增長至241.78億元;2025年1–9月營收已達320.84億元,同比增長近100%,超過2024年全年規(guī)模。盈利拐點更為明確:2025年預計全年凈利潤實現(xiàn)20–35億元的正向增長,扣非歸母凈利潤預計達28–30億元,標志著其已穿越前期高投入階段,步入良性發(fā)展軌道。

方正證券指出,"十五五"規(guī)劃加速半導體自主可控進程,國內(nèi)存儲龍頭規(guī)?；瘮U產(chǎn)為上游產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)造關(guān)鍵機遇。長鑫科技的IPO進程有望帶動北方華創(chuàng)、中微公司等設備商,以及江豐電子、安集科技等材料商的導入放量。晶合集成、匯成股份等制造封測企業(yè)也將同步受益,形成從終端制造到上游配套的產(chǎn)業(yè)協(xié)同,推動國產(chǎn)半導體全鏈條競爭力提升。

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